京瓷告訴你如何設(shè)計(jì)可以抑制EMI的晶振電路板
來源：http://m.cbjur26.cn 作者：金洛鑫電子 2020年05月23
京瓷告訴你如何設(shè)計(jì)可以抑制EMI的晶振電路板
如何讓石英晶體諧振器可以降低EMI?到了今天已經(jīng)不是一個(gè)難題了,但是要怎樣合理且完美設(shè)計(jì),值得許多制造商思考,KYOCERA Corporation公司可以說是這方面的佼佼者,京瓷晶振幾乎所有型號(hào),都可以達(dá)到低EMI的標(biāo)準(zhǔn),而且實(shí)現(xiàn)了低功耗,低成本的要求.在開發(fā)和生產(chǎn)頻率元件方面,掌握了核心的工藝和技術(shù),設(shè)計(jì)印刷電路板時(shí),必須注意預(yù)防負(fù)電阻的減少,抑制EMI水平等事項(xiàng).
1.關(guān)于基板的圖案長(zhǎng)度
連接晶體振子和IC或電容器的基板圖案,為了防止雜散電容或配線電感引起的特性劣化,請(qǐng)將配線長(zhǎng)度設(shè)計(jì)為最短.該圖形長(zhǎng)度最長(zhǎng)也只有2cm左右,但在可搭載貼片晶振和IC等的范圍內(nèi)最短可以抑制EMI的發(fā)生.EMI主要發(fā)生在變頻器的OUT側(cè),因此將OUT側(cè)的圖案長(zhǎng)度縮短到最短.另外,通孔也會(huì)成為EMI的產(chǎn)生源,因此不優(yōu)選.
2.關(guān)于振蕩電路以外的模式的影響
多層基板的情況下,為了預(yù)防負(fù)電阻的減少,獲得穩(wěn)定的起動(dòng)特性,在圖中橢圓包圍的振蕩電路的正下方的中層,不要接線面接地或其他信號(hào)圖形是很重要的.特別是使其他信號(hào)線靠近振蕩部的IN側(cè)時(shí),由于該信號(hào)會(huì)受到調(diào)制,因此在振蕩波形中會(huì)出現(xiàn)噪聲,在OUT側(cè)會(huì)被放大出現(xiàn),成為EMI的原因.振蕩啟動(dòng)時(shí),如果受到其他信號(hào)的影響,使IN側(cè)和OUT側(cè)直流變?yōu)橄嗤妷?則會(huì)成為非常難以啟動(dòng)振蕩的電路,因此是絕對(duì)不能進(jìn)行的接線.
如果在最接近振蕩電路搭載面的層上設(shè)定面接地,則負(fù)電阻會(huì)極度減少,因此也必須避免這種情況.
3.關(guān)于面接地屏蔽
設(shè)置基于面接地的屏蔽時(shí),如下圖左圖所示,在離元件搭載面最遠(yuǎn)的面上設(shè)定接地圖案.另外,振蕩部的中層為了避免負(fù)電阻的減少,不得設(shè)置GND模式等,為了避免京瓷晶振振蕩波形因其他信號(hào)而受到調(diào)制,EMI增加的同時(shí)負(fù)電阻減少,不得設(shè)置其他信號(hào)線.
如上圖右側(cè)所示,元件搭載面的振蕩電路周邊的接地圖案若接近信號(hào)線,則EMI電平會(huì)減少,但若接近極端,則振蕩電路的負(fù)電阻會(huì)減少,因此為了防止負(fù)電阻降低,請(qǐng)?jiān)O(shè)定在距振蕩電路的信號(hào)線0.5mm以上的位置.特別是從IN側(cè)產(chǎn)生的EMI的量本來就很少,因此不需要使GND圖案極端接近,而且通過使GND圖案極端接近,負(fù)電阻會(huì)大幅減少,因此不理想.
京瓷告訴你如何設(shè)計(jì)可以抑制EMI的晶振電路板
如何讓石英晶體諧振器可以降低EMI?到了今天已經(jīng)不是一個(gè)難題了,但是要怎樣合理且完美設(shè)計(jì),值得許多制造商思考,KYOCERA Corporation公司可以說是這方面的佼佼者,京瓷晶振幾乎所有型號(hào),都可以達(dá)到低EMI的標(biāo)準(zhǔn),而且實(shí)現(xiàn)了低功耗,低成本的要求.在開發(fā)和生產(chǎn)頻率元件方面,掌握了核心的工藝和技術(shù),設(shè)計(jì)印刷電路板時(shí),必須注意預(yù)防負(fù)電阻的減少,抑制EMI水平等事項(xiàng).
1.關(guān)于基板的圖案長(zhǎng)度
連接晶體振子和IC或電容器的基板圖案,為了防止雜散電容或配線電感引起的特性劣化,請(qǐng)將配線長(zhǎng)度設(shè)計(jì)為最短.該圖形長(zhǎng)度最長(zhǎng)也只有2cm左右,但在可搭載貼片晶振和IC等的范圍內(nèi)最短可以抑制EMI的發(fā)生.EMI主要發(fā)生在變頻器的OUT側(cè),因此將OUT側(cè)的圖案長(zhǎng)度縮短到最短.另外,通孔也會(huì)成為EMI的產(chǎn)生源,因此不優(yōu)選.
2.關(guān)于振蕩電路以外的模式的影響
多層基板的情況下,為了預(yù)防負(fù)電阻的減少,獲得穩(wěn)定的起動(dòng)特性,在圖中橢圓包圍的振蕩電路的正下方的中層,不要接線面接地或其他信號(hào)圖形是很重要的.特別是使其他信號(hào)線靠近振蕩部的IN側(cè)時(shí),由于該信號(hào)會(huì)受到調(diào)制,因此在振蕩波形中會(huì)出現(xiàn)噪聲,在OUT側(cè)會(huì)被放大出現(xiàn),成為EMI的原因.振蕩啟動(dòng)時(shí),如果受到其他信號(hào)的影響,使IN側(cè)和OUT側(cè)直流變?yōu)橄嗤妷?則會(huì)成為非常難以啟動(dòng)振蕩的電路,因此是絕對(duì)不能進(jìn)行的接線.
如果在最接近振蕩電路搭載面的層上設(shè)定面接地,則負(fù)電阻會(huì)極度減少,因此也必須避免這種情況.
3.關(guān)于面接地屏蔽
設(shè)置基于面接地的屏蔽時(shí),如下圖左圖所示,在離元件搭載面最遠(yuǎn)的面上設(shè)定接地圖案.另外,振蕩部的中層為了避免負(fù)電阻的減少,不得設(shè)置GND模式等,為了避免京瓷晶振振蕩波形因其他信號(hào)而受到調(diào)制,EMI增加的同時(shí)負(fù)電阻減少,不得設(shè)置其他信號(hào)線.
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